判断:由于P型半导体中的多数载流子是空穴,所以P型半导体带正电.(理由)

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/30 08:29:32
判断:由于P型半导体中的多数载流子是空穴,所以P型半导体带正电.(理由)

判断:由于P型半导体中的多数载流子是空穴,所以P型半导体带正电.(理由)
判断:由于P型半导体中的多数载流子是空穴,所以P型半导体带正电.(理由)

判断:由于P型半导体中的多数载流子是空穴,所以P型半导体带正电.(理由)
P型半导体整体显电中性
你的理解遗漏了很重要的东西,仔细想想P型半导体中多子空穴的产生过程,受主杂质原子 碰原子接受一个电子,然后它周围产生了空穴,常温下,这些空穴都是电离的(即这些空穴脱离了碰原子的束缚,成为能够在整个半导体内移动的空穴)
好了, 您光想到了这些带正电的空穴, 那您就忘了与这些空穴对应的受主杂质原子吗? 它们都接受了一个电子,就成为了固定在晶格中不可移动的带负电的负离子.(这一点很关键)
1. 半导体内的正电荷是空穴,有两部分来源:受主杂质产生的(占绝大多数)和本征激发产生的(占少数);
2. 负电荷 则是受主负杂质离子(数量很大,等于上面所述的第一部分空穴的数量)和电子(来源于本征激发,只占少数)
正电荷总数(多子空穴)=负电荷总数(少子电子+受主负离子)
半导体整体是电中性的
同样的道理,N型半导体也是如此,里面有大量的不可移动的带正电的施主正离子,负电荷总数(多子电子)=正电荷总数(少子空穴+施主正离子)
整体是电中性的

判断:由于P型半导体中的多数载流子是空穴,所以P型半导体带正电.(理由) P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子.这句话是正确的么? P型杂质半导体中,多数载流子是 (空穴)(正离子)(负离子)? N型半导体的多数载流子是电子,而P型半导体是空穴.所以说N型半导体带负电,P型带正电,N型半导体的多数载流子是电子,P型半导体的多数载流子是空穴.所以说N型半导体带负电,P型半导体带正电, 晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接 N型半导体多数载流子是自由电子,P型半导体是空穴,是否N型的带负电,p型的带正电 1. 本征半导体中的两种载流子是 ,N型半导体多数载流子是 . 如何理解P型半导体和N型半导体中的多数载流子,物质不是电中性的吗?主要是空穴,为什么说空穴导电呢?好像看到一篇资料说电子被束缚了.如下.“p”表示正电的意思.在这种半导体中,参与导 P型半导体的多数载流子是空穴,因此它应( ). A.不带电 C.带负电 B.带正电 D.不确定7、P型半导体的多数载流子是空穴,因此它应( ). A.不带电 C.带负电 B.带正电 D.不 P型半导体多数载流子是带正电的空穴,所以P型半导体是( )A.带正电 B.带负电 C.无法确定 D.电中性应该选哪个? 为什么说P型半导体的多数载流子是空穴.既然掺入了3价硼,空穴是硼和硅原子结合时共价键少一个电子造成的,那么这个空穴应该不带电才是.如果被填补,应该是负离子,那么在填补空穴的时候, 1.N型半导体中,多数载流子是( ). 1.N型半导体中,多数载流子是( ).A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子 三极管有( )PN结.A 半导体中的多数载流子是由()产生的;少数载流子是由()产生的. n型半导体中多数载流子(电子)数量大于少数载流子(空穴) 那是不是n型半导体总体带负电是不是啊! 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的 少数载流子为什么会存在?p型材料中空穴为多数载流子,电子为少数载流子,为什么电子不和空穴结合啊! P型-杂质半导体在P型半导体中,空穴上是不是真正的存在正电荷?这个正电荷是怎么出现的?导体中同样会失去电子,正电荷和负电荷同样不相等,为什么在导体中的载流子只是电子?