PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/07 17:21:50
PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大

PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大
PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大

PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大
耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区 .P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散 ,达到平衡.当PN结外加反向电压时,内外电场的方向相同,在外电场的作用下,载流子背离PN结运动,结果使空间电荷区变宽,耗尽层会(变宽)变大.PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层将变窄.

PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大 PN结加正向电压时,处于什么状态?PN结加反向电压时,处于什么状态? PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系不明白为什么高参杂的时候耗尽层宽度很窄?齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电厂,而直接破坏共价键,这句话不太明白,可不可以这样理 1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将变() 电力二极管两端外加电压突然由反向到正向时,PN结为何还是处于正偏 电力二极管两端外加电压突然由反向到正向时,PN结为何还是处于正偏 PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义:在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电 齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,“不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场”,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对, pn结为什么会有整流效应?整流原理? 关于pn结为什么在PN结加上正向电压,PN结会变薄.上网找了很久都还是不明白.好像是与电力场有关系的,不过之间的不是中性的PN结吗?这有与电力场有什么关系?还有为什么P半导体不能与N半导体 为什么加正向电压PN结变薄,加反向变厚 PN结加正向电压是什么意思?PN结加反向电压是什么意思? 关于二极管PN结的问题.书上说PN结有单向导电性,即在PN结上加正向电压时,PN结电阻很低,正向电流较大,PN结处于导通状态.所说的加正向电压是什么意思,那加反向电压呢? n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那 为什么二极管PN结加反向电压,PN结会加宽,加反向电压后PN结P侧的电子一样可以到达PN结的N侧呀,也就是漂移电流,为什么会很小的呢?想了几天不能理解,请高手帮我解惑,为什么加反向电压形成 二机管具有( )性能,即加正向电压时二极管( ),加反向电压PN结( ) pn节加正向电压、反向电压后pn节状态如何变化 PN结的单向导电性指 ,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称