作业帮为什么P沟MOSFET不易获得耗尽型?
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/06 12:26:00
为什么P沟MOSFET不易获得耗尽型?
为什么P沟MOSFET不易获得耗尽型?
为什么P沟MOSFET不易获得耗尽型?
这主要是由于n型衬底的表面,在二氧化硅薄膜覆盖下,容易出现电子积累层,而不是耗尽层、更难出现反型层（p型沟道）.其原因在于通过热氧化制作的二氧化硅薄膜,其中往往存在有少量的正电荷（可能是N+、K+等离子所致）,所以在Si表面上易于造成电子积累,而非空穴积累.从而较难于获得耗尽型p-MOSFET.
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