cmos与非门电路分析cmos与非门电路中,串联的nmos管中,只有最底下那个T1源极接地,从而可以直接通过栅极电位得出Vgs电压降,判断mos管状态.但其余串联的nmos管（如图中T2）的源极电压随T1的状态

来源：学生作业帮助网编辑：作业帮时间：2024/04/19 09:52:20

cmos与非门电路分析cmos与非门电路中,串联的nmos管中,只有最底下那个T1源极接地,从而可以直接通过栅极电位得出Vgs电压降,判断mos管状态.但其余串联的nmos管（如图中T2）的源极电压随T1的状态
cmos与非门电路分析

cmos与非门电路中,串联的nmos管中,只有最底下那个T1源极接地,从而可以直接通过栅极电位得出Vgs电压降,判断mos管状态.但其余串联的nmos管（如图中T2）的源极电压随T1的状态而改变（起码不是常数0）,那教科书上是如何一眼就确定T2状态的呢（其判断方法貌似和T1的判断方法通用）?

cmos与非门电路分析cmos与非门电路中,串联的nmos管中,只有最底下那个T1源极接地,从而可以直接通过栅极电位得出Vgs电压降,判断mos管状态.但其余串联的nmos管（如图中T2）的源极电压随T1的状态
其实都可以推算的,这里的与非门都工作在开关状态.
A\B=0\0时,T3\T4（都是PMOS）都导通,所以F就是VDD,也就是高电平.
其实从这里推论,只要A、B任意有一个是0,F都是VDD.
A\B=1\1时,T3\T4都截止,这没话说.
而下面的两个,T1先导通,导通后,T2的S极接地,T2也满足了饱和导通的条件,所以也跟着导通,所以F的电位就相当于接地,所以是0V.
把这四种情况汇总起来,就是与非门的真值表.
PS：数字电路的晶体管状态非常好判断,晶体管基本上都工作在开关状态.如果是放大状态的话,管子要消耗压降,再加上电流,很容易热起来.

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